高溫超導(dǎo)前沿技術(shù)：應(yīng)用篇

前言
第1部分制備
第1章 結(jié)晶生長（一般理論）/
1.1前言/
1.2高溫超導(dǎo)體的特征與結(jié)晶生長/
1.2.1高溫超導(dǎo)體的化學(xué)和構(gòu)造特征/
1.2.2高溫超導(dǎo)體不可缺少的晶體生長技術(shù)/
1.3高溫超導(dǎo)體單晶的生長方法/
1.3.1分解熔融法難以獲得優(yōu)質(zhì)單晶/
1.3.2助熔劑（Flux）法生長單晶/
1.3.3懸浮區(qū)熔法（FZ法）生長高溫超導(dǎo)單晶/
1.3.4助熔劑旋轉(zhuǎn)提拉法生長RE123單晶/
1.4高溫超導(dǎo)單晶特性對(duì)材料開發(fā)的啟發(fā)/
1.4.1RE123單晶品質(zhì)控制與臨界電流特性/
1.4.2Bi2212單晶品質(zhì)控制與臨界電流特性/
1.4.3La(Sr)214單晶的情況/
1.5晶體生長技術(shù)與高溫超導(dǎo)體的開發(fā)/
1.5.1RE123熔融凝固塊材/
1.5.2其他高溫超導(dǎo)材料相關(guān)的晶體生長技術(shù)/
1.6鐵基超導(dǎo)體的新一代超導(dǎo)體單晶生長技術(shù)/
1.7總結(jié)/
參考文獻(xiàn)/
第2章 鐵基超導(dǎo)體的薄膜制備/
2.1前言/
2.2鐵基超導(dǎo)體的薄膜制備/
2.2.1分子束外延MBE法/
2.2.2脈沖激光沉積（PLD）法/
2.2.3襯底與生長模式/
2.3Ln-1111系超導(dǎo)薄膜/
2.3.1PLD法的初期嘗試/
2.3.2MBE法的初期嘗試/
2.3.3LnFeAs(O,F)薄膜制備概論/
2.3.4Ln-1111薄膜制備（1）：兩步法/
2.3.5Ln-1111薄膜制備（2）：氟元素從襯底擴(kuò)散/
2.3.6Ln-1111薄膜制備（3）：一步法/
2.3.7MOCVD法制備Ln-1111薄膜/
2.4Ae-122系超導(dǎo)薄膜/
2.4.1(Sr,K)Fe2As2、(Ba,K)Fe2As2薄膜/
2.4.2BaFe2(As,P)2薄膜/
2.4.3Ba(Fe1-xCox)2As2薄膜/
2.4.4122系薄膜的研究熱點(diǎn)/
2.5FeCh系薄膜生長/
2.5.1PLD法生長FeSe、Fe(Se,Te)、FeTe薄膜的最初嘗試/
2.5.2對(duì)襯底的依賴性/
2.5.3通過亞穩(wěn)超導(dǎo)相提高Fe(Se，Te)薄膜的Tc/
2.5.4單原子層FeSe薄膜/
2.5.5FeSe超薄膜的場效應(yīng)/
2.6總結(jié)/
參考文獻(xiàn)/
第3章 MgB2薄膜的制備/
3.1前言/
高溫超導(dǎo)前沿技術(shù)——應(yīng)用篇3.2MgB2的材料科學(xué)/
3.2.1晶體結(jié)構(gòu)與相圖/
3.2.2薄膜制備相關(guān)的熱力學(xué)反應(yīng)速率理論考察/
3.3MgB2薄膜制備/
3.3.1兩步法/
3.3.2低溫原位成膜法/
3.3.3高溫原位成膜/
3.3.4襯底與緩沖層/
3.4MgB2超導(dǎo)體/
3.5MgB2超導(dǎo)結(jié)的研究/
3.5.1超導(dǎo)結(jié)的初期研究/
3.5.2SIS結(jié)/
3.6總結(jié)/
參考文獻(xiàn)/
第4章 Nb、NbN薄膜與器件制作/
4.1前言/
4.2Nb基超導(dǎo)體集成電路技術(shù)/
4.2.1前言/
4.2.2超導(dǎo)體集成電路的器件構(gòu)造與制造工藝/
4.2.3成膜裝置對(duì)Nb薄膜質(zhì)量的影響/
4.2.4Nb/Al-AlOx/Nb結(jié)對(duì)薄膜質(zhì)量的影響/
4.2.5接觸孔中的薄膜質(zhì)量與臨界電流密度Jc/
4.3NbN超導(dǎo)薄膜·器件技術(shù)/
4.3.1前言/
4.3.2NbN薄膜的制備/
4.3.3約瑟夫森結(jié)的制備/
4.3.4超導(dǎo)納米線單光子檢測器/
4.4總結(jié)/
參考文獻(xiàn)/
第5章 Bi-2223線材/
5.1前言/
5.2Bi基超導(dǎo)導(dǎo)線的制法/
5.3電磁特性與微細(xì)組織/
5.3.1臨界電流特性/
5.3.2載流子的摻雜/
5.3.3微細(xì)組織與晶界/
5.3.4磁場中的臨界電流特性/
5.4面向?qū)嵱没某瑢?dǎo)線材的機(jī)械性質(zhì)與高強(qiáng)度化/
5.4.1氧化物彌散強(qiáng)化銀合金的效果/
5.4.2加壓燒結(jié)提高組織致密度/
5.4.3層疊增強(qiáng)材料提高材料強(qiáng)度/
5.4.4層疊增強(qiáng)材料的加強(qiáng)效果/
5.5不同包套材料的熱性能變化/
5.6總結(jié)/
參考文獻(xiàn)/
第6章 REBCO線材/
6.1前言/
6.2REBCO線材的構(gòu)成與制法的進(jìn)展/
6.2.1REBCO超導(dǎo)材料晶界的性質(zhì)與雙軸織構(gòu)/
6.2.2超電導(dǎo)層各種制法及其特征/
6.2.3長尺度均勻性與生產(chǎn)效率的提高/
6.3超導(dǎo)特性的提高/
6.3.1REBCO薄膜的本征特性/
6.3.2人工釘扎中心的引入/
6.3.3引入人工釘扎中心的線材的高速合成/
6.4機(jī)械特性/
6.4.1軸向拉伸特性與不可逆強(qiáng)度特性/
6.4.2剝離方向(厚度方向)拉伸強(qiáng)度與繞線線圈/
6.5細(xì)絲化與堆疊導(dǎo)體技術(shù)/
6.5.1REBCO超導(dǎo)線材細(xì)絲化與堆疊化的要求/
6.5.2REBCO線材細(xì)絲化技術(shù)/
6.5.3REBCO線材堆疊導(dǎo)體技術(shù)/
6.6總結(jié)/
參考文獻(xiàn)/
第7章 低溫超導(dǎo)線材、Bi-2212線材、MgB2線材、鐵基線材/
7.1前言/
7.2低溫超導(dǎo)線材/
7.2.1Nb-Ti線材/
7.2.2Nb3Sn線材/
7.3Bi-2212線材/
7.4MgB2線材/
7.5鐵基線材/
7.6總結(jié)/
參考文獻(xiàn)/
第8章 氧化物約瑟夫森結(jié)/
8.1前言/
8.2高溫超導(dǎo)結(jié)合的種類/
8.3研究開發(fā)的進(jìn)展/
8.4結(jié)合制備技術(shù)中的課題及其控制方法/
8.4.1超導(dǎo)薄膜制備技術(shù)/
8.4.2微細(xì)加工技術(shù)/
8.4.3材料選擇（基板、超導(dǎo)體、絕緣體）/
8.5利用低溫液氮的實(shí)用結(jié)合技術(shù)/
8.5.1雙結(jié)晶型結(jié)/
8.5.2臺(tái)階邊緣型結(jié)/
8.5.3斜坡邊緣型結(jié)/
8.6總結(jié)/
致謝/
參考文獻(xiàn)/
第9章 本征約瑟夫森結(jié)/
9.1前言/
9.2本征約瑟夫森結(jié)的制備/
9.3本征約瑟夫森結(jié)的基本特性/
9.3.1電流-電壓特性/
9.3.2本征約瑟夫森結(jié)最大結(jié)電流與準(zhǔn)粒子隧穿電流/
9.3.3本征約瑟夫森結(jié)的效果/
9.3.4約瑟夫森結(jié)等離子體集體振蕩/
9.3.5聲子共振/
9.4渦流動(dòng)力學(xué)/
9.5本征約瑟夫森結(jié)發(fā)出的太赫茲波/
9.6用于量子比特的本征約瑟夫森結(jié)/
9.7總結(jié)/
參考文獻(xiàn)/
第2部分應(yīng)用
第10章 輸電電纜/
10.1前言/
10.2超導(dǎo)輸電電纜的開發(fā)歷史/
10.3超導(dǎo)輸電電纜系統(tǒng)的構(gòu)成/
10.4超導(dǎo)電纜芯/
10.4.1超導(dǎo)電纜芯的構(gòu)造/
10.4.2超導(dǎo)電纜芯的設(shè)計(jì)/
10.5超導(dǎo)電纜的末端（電流引線）/
10.6電纜間的連接部分/
10.7冷卻系統(tǒng)/
10.8超導(dǎo)電纜