半導(dǎo)體物理學(xué)（第8版）

目　　錄
第1章　半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)1
　　1.1　半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)1
　　　　1.1.1　金剛石型結(jié)構(gòu)和共價鍵1
　　　　1.1.2　閃鋅礦型結(jié)構(gòu)和混合鍵2
　　　　1.1.3　纖鋅礦型結(jié)構(gòu)3
　　1.2　半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶4
　　　　1.2.1　原子的能級和晶體的能帶4
　　　　1.2.2　半導(dǎo)體中電子的狀態(tài)和能帶6
　　　　1.2.3　導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體的能帶10
　　1.3　半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動———有效質(zhì)量11
　　　　1.3.1　半導(dǎo)體中E（k）與k的關(guān)系［3］ 11
　　　　1.3.2　半導(dǎo)體中電子的平均速度12
　　　　1.3.3　半導(dǎo)體中電子的加速度12
　　　　1.3.4　有效質(zhì)量的意義13
　　1.4　本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)———空穴［3］ 14
　　1.5　回旋共振［4］ 16
　　　　1.5.1　k空間等能面16
　　　　1.5.2　回旋共振18
　　1.6　硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)19
　　　　1.6.1　硅和鍺的導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)19
　　　　1.6.2　硅和鍺的價帶結(jié)構(gòu)22
　　1.7?、?Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)［7］ 24
　　　　1.7.1　銻化銦的能帶結(jié)構(gòu)24
　　　　1.7.2　砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)［8］ 25
　　　　1.7.3　磷化鎵和磷化銦的能帶結(jié)構(gòu)25
　　　　1.7.4　混合晶體的能帶結(jié)構(gòu)25
　　★1.8?、?Ⅵ族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)26
　　　　★1.8.1　二元化合物的能帶結(jié)構(gòu)26
　　　　★1.8.2　混合晶體的能帶結(jié)構(gòu)27
　　★1.9　Si1－xGex合金的能帶27
　　★1.10　寬禁帶半導(dǎo)體材料29
　　　　★1.10.1　GaN、AlN的晶格結(jié)構(gòu)和能帶［18］ 30
　　　　★1.10.2　SiC的晶格結(jié)構(gòu)和能帶32
　　習(xí)題35
　　參考資料35
第2章　半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級37
　　2.1　硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級37
　　　　2.1.1　替位式雜質(zhì)和間隙式雜質(zhì)37
　　　　2.1.2　施主雜質(zhì)、施主能級38
　　　　2.1.3　受主雜質(zhì)、受主能級39
　　　　2.1.4　淺能級雜質(zhì)電離能的簡單計算［2，3］ 41
　　　　2.1.5　雜質(zhì)的補(bǔ)償作用41
　　　　2.1.6　深能級雜質(zhì)42
　　2.2　Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級45
　　★2.3　氮化鎵、氮化鋁、碳化硅中的雜質(zhì)能級50
　　2.4　缺陷、位錯能級52
　　　　2.4.1　點(diǎn)缺陷52
　　　　2.4.2　位錯53
　　習(xí)題54
　　參考資料55
第3章　半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布56
　　3.1　狀態(tài)密度［1，2］ 56
　　　　3.1.1　k空間中量子態(tài)的分布56
　　　　3.1.2　狀態(tài)密度57
　　3.2　費(fèi)米能級和載流子的統(tǒng)計分布59
　　　　3.2.1　費(fèi)米分布函數(shù)59
　　　　3.2.2　玻耳茲曼分布函數(shù)60
　　　　3.2.3　導(dǎo)帶中的電子濃度和價帶中的空穴濃度61
　　　　3.2.4　載流子濃度乘積n0p0 64
　　3.3　本征半導(dǎo)體的載流子濃度64
　　3.4　雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度67
　　　　3.4.1　雜質(zhì)能級上的電子和空穴67
　　　　3.4.2　n型半導(dǎo)體的載流子濃度68
　　3.5　一般情況下的載流子統(tǒng)計分布76
　　3.6　簡并半導(dǎo)體［2，5］ 81
　　　　3.6.1　簡并半導(dǎo)體的載流子濃度81
　　　　3.6.2　簡并化條件82
　　　　3.6.3　低溫載流子凍析效應(yīng)83
　　　　3.6.4　禁帶變窄效應(yīng)85
　　3.7　電子占據(jù)雜質(zhì)能級的概率［2，6，7］ 86
　　　　3.7.1　電子占據(jù)雜質(zhì)能級概率的討論86
　　　　3.7.2　求解統(tǒng)計分布函數(shù)88
　　習(xí)題89
　　參考資料90
第4章　半導(dǎo)體的導(dǎo)電性92
　　4.1　載流子的漂移運(yùn)動和遷移率92
　　　　4.1.1　歐姆定律92
　　　　4.1.2　漂移速度和遷移率93
　　　　4.1.3　半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和遷移率93
　　4.2　載流子的散射94
　　　　4.2.1　載流子散射的概念94
　　　　4.2.2　半導(dǎo)體的主要散射機(jī)構(gòu)［1］ 95
　　4.3　遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系102
　　　　4.3.1　平均自由時間和散射概率的關(guān)系102
　　　　4.3.2　電導(dǎo)率、遷移率與平均自由時間的關(guān)系102
　　　　4.3.3　遷移率與雜質(zhì)和溫度的關(guān)系104
　　4.4　電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系108
　　　　4.4.1　電阻率和雜質(zhì)濃度的關(guān)系108
　　　　4.4.2　電阻率隨溫度的變化110
　　★4.5　玻耳茲曼方程［11］、電導(dǎo)率的統(tǒng)計理論110
　　　　★4.5.1　玻耳茲曼方程111
　　　　★4.5.2　弛豫時間近似112
　　　　★4.5.3　弱電場近似下玻耳茲曼方程的解113
　　　　★4.5.4　球形等能面半導(dǎo)體的電導(dǎo)率114
　　4.6　強(qiáng)電場下的效應(yīng)［12］、熱載流子115
　　　　4.6.1　歐姆定律的偏離115
　　　　★4.6.2　平均漂移速度與電場強(qiáng)度的關(guān)系116
　　★4.7　多能谷散射、耿氏效應(yīng)120
　　　　★4.7.1　多能谷散射、體內(nèi)負(fù)微分電導(dǎo)120
　　　　★4.7.2　高場疇區(qū)及耿氏振蕩122
　　習(xí)題123
　　參考資料125
第5章　非平衡載流子126
　　5.1　非平衡載流子的注入與復(fù)合126
　　5.2　非平衡載流子的壽命127
　　5.3　準(zhǔn)費(fèi)米能級129
　　5.4　復(fù)合理論130
　　　　5.4.1　直接復(fù)合131
　　　　5.4.2　間接復(fù)合132
　　　　5.4.3　表面復(fù)合137
　　　　5.4.4　俄歇復(fù)合139
　　5.5　陷阱效應(yīng)141
　　5.6　載流子的擴(kuò)散運(yùn)動143
　　5.7　載流子的漂移擴(kuò)散、愛因斯坦關(guān)系式147
　　5.8　連續(xù)性方程式149
　　5.9　硅的少數(shù)載流子壽命與擴(kuò)散長度153
　　習(xí)題154
　　參考資料155
第6章　pn結(jié)156
　　6.1　pn結(jié)及其能帶圖156
　　　　6.1.1　pn結(jié)的形成和雜質(zhì)分布［13］ 156
　　　　6.1.2　空間電荷區(qū)157
　　　　6.1.3　pn結(jié)能帶圖158
　　　　6.1.4　pn結(jié)接觸電勢差159
　　　　6.1.5　pn結(jié)的載流子分布160
　　6.2　pn結(jié)電流-電壓特性161
　　　　6.2.1　非平衡狀態(tài)下的pn結(jié)161
　　　　6.2.2　理想pn結(jié)模型及其電流-電壓方程［4］ 164
　　　　6.2.3　影響pn結(jié)電流-電壓特性偏離理想方程的各種因素［1，2，5］ 167
　　6.3　pn結(jié)電容［1，2，6］ 171
　　　　6.3.1　pn結(jié)電容的來源171
　　　　6.3.2　突變結(jié)的勢壘電容173
　　　　6.3.3　線性緩變結(jié)的勢壘電容177
　　　　6.3.4　擴(kuò)散電容180
　　6.4　pn結(jié)擊穿［1，2，8，9］ 181
　　　　6.4.1　雪崩擊穿181
　　　　6.4.2　隧道擊穿（齊納擊穿）［10］ 181
　　　　6.4.3　熱電擊穿183
　　6.5　pn結(jié)隧道效應(yīng)［1，10］ 183
　　習(xí)題186
　　參考資料186
第7章　金屬和半導(dǎo)體的接觸187
　　7.1　金屬半導(dǎo)體接觸及其能級圖187
　　　　7.1.1　金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)187
　　　　7.1.2　接觸電勢差188
　　　　7.1.3　表面態(tài)對接觸勢壘的影響190
　　7.2　金屬半導(dǎo)體接觸整流理論192
　　　　7.2.1　擴(kuò)散理論193
　　　　7.2.2　熱電子發(fā)射理論195
　　　　7.2.3　鏡像力和隧道效應(yīng)的影響197
　　　　7.2.4　肖特基勢壘二極管199
　　7.3　少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸200
　　　　7.3.1　少數(shù)載流子的注入200
　　　　7.3.2　歐姆接觸201
　　習(xí)題203
　　參考資料203
第8章　半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)204
　　8.1　表面態(tài)204
　　8.2　表面電場效應(yīng)［5，6］ 207
　　　　8.2.1　空間電荷層及表面勢207
　　　　8.2.2　表面空間電荷層的電場、電勢和電容209
　　8.3　MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性216
　　　　8.3.1　理想MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性［5，7］ 216
　　　　8.3.2　金屬與半導(dǎo)體功函數(shù)差對MIS結(jié)構(gòu)C-V特性的影響［5］ 220
　　　　8.3.3　絕緣層中電荷對MIS結(jié)構(gòu)C-V特性的影響［7］ 221
　　8.4　硅—二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)［7］ 223
　　　　8.4.1　二氧化硅層中的可動離子［8］ 223
　　　　8.4.2　二氧化硅層中的固定表面電荷［7］ 225
　　　　8.4.3　在硅—二氧化硅界面處的快界面態(tài)［5］ 226
　　　　8.4.4　二氧化硅層中的電離陷阱電荷［7］ 228
　　8.5　表面電導(dǎo)及遷移率228
　　　　8.5.1　表面電導(dǎo)［1］ 228
　　　　8.5.2　表面載流子的有效遷移率229
　　★8.6　表面電場對pn結(jié)特性的影響［7］ 230
　　　　★8.6.1　表面電場作用下pn結(jié)的能帶圖230
　　　　★8.6.2 表面電場作用下pn結(jié)的反向電流232
　　　　★8.6.3　表面電場對pn結(jié)擊穿特性的影響234
　　　　★8.6.4　表面純化235
　　習(xí)題235
　　參考資料236
第9章　半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)237
　　9.1　半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖［79］ 237
　　　　9.1.1　半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的能帶圖237
　　　　9.1.2　突變反型異質(zhì)結(jié)的接觸電勢差及勢壘區(qū)寬度243
　　　　9.1.3　突變反型異質(zhì)結(jié)的勢壘電容［48］ 245
　　　　9.1.4　突變同型異質(zhì)結(jié)的若干公式246
　　9.2　半導(dǎo)體異質(zhì)pn結(jié)的電流-電壓特性及注入特性246
　　　　9.2.1　突變異質(zhì)pn結(jié)的電流—電壓特性［7，17］ 247
　　　　9.2.2　異質(zhì)pn結(jié)的注入特性［17］ 250
　　9.3　半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)量子阱結(jié)構(gòu)及其電子能態(tài)與特性252
　　　　9.3.1　半導(dǎo)體調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面量子阱252
　　　　9.3.2　雙異質(zhì)結(jié)間的單量子阱結(jié)構(gòu)254
　　　　9.3.3　雙勢壘單量子阱結(jié)構(gòu)及共振隧穿效應(yīng)［23］ 258
　　★9.4　半導(dǎo)體應(yīng)變異質(zhì)結(jié)構(gòu)259
　　　　★9.4.1　應(yīng)變異質(zhì)結(jié)260
　　　　★9.4.2　應(yīng)變異質(zhì)結(jié)構(gòu)中應(yīng)變層材料能帶的改性261
　　★