III族氮化物半導體材料及其在光電和電子器件中的應用

定　價：￥38.00

作　者：	胡安琪著
出版社：	北京郵電大學出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787563561353	出版時間：	2020-08-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內容簡介

　　Ⅲ族氮化物材料是繼第一代和第二代半導體材料后發(fā)展起來的第三代半導體的典型材料。它具有禁帶寬度大且可調、擊穿電壓高、載流子遷移率高等優(yōu)異的物理性質，使其在光電器件和電子器件領域有重要的應用，是當前國內外研究的熱點材料。本書適合微電子、光電子、半導體材料專業(yè)的學生和教師閱讀，也可供非專業(yè)人士作為入門書籍瀏覽。 III族氮化物半導體材料具有大禁帶寬度、高擊穿電壓、高載流子遷移率等優(yōu)異的物理性質，是紫外光電器件和電力電子器件的熱點材料。本書基于作者的科研經(jīng)驗，將III族氮化物半導體材料從材料性質、表征手段到器件應用作了全鏈條的、詳細的介紹，并結合了作者在科研過程中的體會，希望對讀者有些許幫助。

作者簡介

　　胡安琪，女，博士畢業(yè)于北京大學物理學院，現(xiàn)在北京郵電大學電子工程學院任職，職稱為講師。長期從事半導體器件研究工作，研究方向涉及III族氮化物半導體材料及其相關器件，對該領域有一定的了解。

圖書目錄

目錄
第1章Ⅲ族氮化物半導體材料的基本性質1
11Ⅲ族氮化物半導體的晶體結構和能帶1
12Ⅲ族氮化物半導體的基本性質3
1.3Ⅲ族氮化物半導體的極化特性3
1.4Ⅲ族氮化物半導體異質結中的特殊效應5
1.4.1極化電荷誘導界面二維電子氣（2DEG）5
1.4.2量子限制斯塔克效應6
1.5Ⅲ族氮化物半導體及其異質結結構的外延生長方法6
1.5.1MOCVD外延法6
1.5.2MBE外延法8
1.5.3HVPE外延法9
1.6外延襯底的選擇11
1.6.1GaN襯底11
1.6.2藍寶石襯底11
1.6.3SiC襯底12
1.6.4Si襯底12
本章參考文獻12
第2章Ⅲ族氮化物半導體材料物理性質的表征方法14
2.1高分辨X射線衍射14
2.1.1X射線衍射基本原理14
2.1.2高分辨X射線衍射技術15
2.1.3高分辨X射線衍射儀簡介16
2.2透射電子顯微鏡17
2.2.1透射電子顯微技術的基本原理17
2.2.2透射電子顯微鏡的基本構造18
2.2.3透射電子顯微鏡的工作原理19
2.3掃描電子顯微鏡21
2.3.1掃描電子顯微鏡的基本原理22
2.3.2掃描電子顯微鏡的基本構造23
2.3.3掃描電子顯微鏡的工作原理24
2.4原子力顯微鏡25
2.4.1原子力顯微鏡的基本原理25
2.4.2原子力顯微鏡的基本構造26
2.4.3原子力顯微鏡的工作原理27
2.5光學檢測技術28
2.5.1光致發(fā)光譜28
2.5.2電致發(fā)光譜29
2.5.3拉曼光譜30
2.6基本電學表征技術32
2.6.1霍爾測試技術32
2.6.2電容電壓測試技術37
2.7缺陷能級表征技術43
2.7.1深能級瞬態(tài)譜43
2.7.2熱激電流譜49
2.7.3電流瞬態(tài)譜51
本章參考文獻52
第3章Ⅲ族氮化物半導體在光電器件中的應用舉例55
3.1GaN基發(fā)光二極管55
3.1.1發(fā)光二極管55
3.1.2GaN基藍光LED59
3.1.3GaN基黃、綠光LED67
3.1.4GaN基紫外和深紫外LED69
3.2GaN基激光器74
3.2.1半導體激光器74
3.2.2GaN基邊緣發(fā)射激光器（EEL）79
3.2.3GaN基垂直腔面發(fā)射激光器81
3.3GaN基光電探測器83
3.3.1半導體光電探測器83
3.3.2GaN基光電探測器85
本章參考文獻99
第4章Ⅲ族氮化物半導體在電子器件中的應用舉例103
4.1GaN基高電子遷移率晶體管及其可靠性研究104
4.1.1HEMT器件的工作原理105
4.1.2增強型HEMT器件的實現(xiàn)方法109
4.1.3GaN HEMT的應用現(xiàn)狀111
4.1.4GaN基HEMT的可靠性問題112
4.2GaN基垂直結構器件138
4.2.1垂直GaN基功率二極管139
4.2.2垂直GaN基功率晶體管142
本章參考文獻144