薄膜太陽(yáng)能電池材料

第一章 導(dǎo)論
1．1 當(dāng)前太陽(yáng)能利用趨勢(shì)
1．2 薄膜太陽(yáng)能電池的工作原理
1．3 量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池
1．4 等離子體太陽(yáng)能電池
1．5 使用地球上儲(chǔ)量豐富的材料制作薄膜太陽(yáng)能電池
第二章 Cu2ZnSn（S1-xSex）4二元化合物的生長(zhǎng)及使用這類
化合物制作的薄膜太陽(yáng)能電池
2．1 Cu2S和Cu2Se吸收層
2．2 Cu2S太陽(yáng)能電池
2．3 SnS、SnS2和Sn2S3吸收層
2．4 SnSe和SnSe，吸收層
2．5 SnS薄膜太陽(yáng)能電池
2．6 太陽(yáng)能電池的窗口層
2．6．1 ZnS
2．6．2 ZnSe
第三章 四元和五元Cu2ZnSn（S1-xSex）4吸收層的生長(zhǎng)
3．1 Cu2ZnSn（S1-xSex）4的生長(zhǎng)
3．2 Cu2ZnSnS4的生長(zhǎng)
3．2．1 真空熱蒸發(fā)
3．2．2 濺射
3．2．3 脈沖激光沉積
3．2．4 納米晶的合成
3．2．5 旋轉(zhuǎn)涂布
3．2．6 絲網(wǎng)印刷
3．2．7 電沉積
3．2．8 噴霧熱分解
3．3 Cu2ZnSnSe4的生長(zhǎng)
3．3．1 共蒸發(fā)
3．3．2 濺射
3．3．3 脈沖激光沉積
3．3．4 納米晶
3．3．5 電沉積
3．4 Cu2ZnSn（SSe）4的生長(zhǎng)
3．5 CuZnSn、cu2ZnSnS4和Cu2ZnSnSe4前驅(qū)體的硫化或硒化
第四章 表征技術(shù)在薄膜分析中的作用
4．1 能量色散x射線譜
4．2 x射線熒光
4．3 二次離子質(zhì)譜
4．4 電感耦合等離子體質(zhì)譜
4．5 Cu2ZnSn（S1-xSex）4 x射線光電子能譜
4．6 掃描電子顯微鏡
4．7 原子力顯微鏡
4．8 Cu2ZnSn（S1-xsex）4的x射線衍射
4．9 Cu2ZnSn（Sl-xSex）4的光學(xué)性質(zhì)
4．9．1 Cu2ZnSnS4和Cu2ZnSnSe4的能帶結(jié)構(gòu)
4．9．2 Cu2ZnSnS4和Cu2ZnSnSe4光致發(fā)光
4．10 拉曼光譜
4．10．1 Cu2ZnSnS4的拉曼光譜研究
4．10．2 Cu2ZnSnSe4的拉曼光譜研究
4．10．3 Cu2ZnSn（Sl-xSex）4的拉曼分析
4．11 Cu2ZnSn（S1-xSex）4薄膜的電性能
第五章 Cu2ZnSn（S1-xSex）4薄膜太陽(yáng)能電池的制作及其特征
5．1 異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的能帶結(jié)構(gòu)
5．2 Cu2ZnSnS4薄膜太陽(yáng)能電池
5．3 Cu2ZnSnSe4薄膜太陽(yáng)能電池
5．3．1 cu2ZnSn（s1-xSex）4薄膜太陽(yáng)能電池
5．4 結(jié)的C-V分析
5．5 時(shí)間分辨光致發(fā)光
5．6 電子束誘導(dǎo)感生電流研究
參考文獻(xiàn)